4月9日，安建半导体C1轮获得超过2亿元融资。本轮融资由北京国管顺禧基金及中航投资领投，龙鼎投资、一元航天及万创投资跟投。募集资金将主要用于开发及量产汽车级IGBT与SiC MOS产品平台；扩建汽车级IGBT及SiC模块封装产线；扩充销售及其他人才团队；增加营运现金流储备等。
安建半导体是一家半导体功率器件研发生产商，公司专注于半导体功率器件的研发、设计和销售，主要产品包括高性能沟槽栅场截止型绝缘栅双极性晶体管、屏蔽栅沟槽型场效应晶体管、高压场效应晶体管、快速恢复场效应晶体管等，产品被广泛应用于电源管理、电机驱动等系统中。
安建半导体选择国内最顶尖的技术节点切入，公司从成立至今，已实现IGBT、SGT-MOS、SJ-MOS三条产品线量产，公司产品得到了国内多家应用客户的认可，已在众多领域稳定运行，向市场展示了安建半导体的技术实力；公司目前已推出具有完全自主产权的1200V-17mΩSiC MOSFET，正在同步建设SiC模块封装产线和开发新一代GaN技术和产品。
安建半导体创始人兼董事长单建安教授表示：在目前复杂的经济形势及融资环境下，公司此次成功融资，进一步反映了资本市场对公司科研技术实力的认可，以及对公司未来发展的信心；公司将会持续加大对新产品研发的投入，特别是面向新能源汽车及大功率光伏、储能等高端应用的新型IGBT与SiC产品；公司在不断加大新产品研发的同时，也特别注重公司研发产品的落地，已组建了行业精英销售团队并制定了紧贴市场的销售策略来拓展公司产品市场，将持续扩大公司在行业内的产品市场份额。
